一、双面烧结技术的特点

　　1、提高过流能力，发挥SiC芯片的能力;

　　2、提高功率循环可靠性;

　　3、有效提升高结温下的散热能力。

　　二、利用预覆烧结银的铜箔替代原有铝线键合，提供铜线/铜带键合方案

　　在目前所有互联方案中，双面银烧结技术是高功率模组的最佳选择，深圳芯源新材料有限公司作为国内唯一上车的国产供应商，推出的PA-300A03烧结铜电极帮助客户做出了使用双面银烧结技术的碳化硅模块。采用烧结铜电极可以代替原有铝线键合，提供铜线/铜带键合的新方案，显著提升功率模块的过流能力和功率循环次数，同时使用芯源PA-100A03A芯片级银膏在裸铜DBC/AMB上烧结芯片，有效提升客户高结温下的散热能力，降低客户成本。

　　芯源推出的PA-300A03烧结铜电极，在烧结温度为250℃、压力20Mpa、时间5mins的条件下可以烧结为低孔隙率的银层。此外，芯源推出的PA-100A03A芯片级银膏，在烧结温度为230℃、压力15Mpa、时间5mins、界面裸铜的条件下可以做到≥70Mpa剪切力(镀银界面更高)。